[发明专利]用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法在审
| 申请号： | 202010824548.3 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN112164651A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·凯尔;伊斯达克·卡里姆;亚思万斯·兰吉内尼;阿德里安·拉瓦伊;崎山幸则;爱德华·奥古斯蒂尼克;卡尔·利泽;季春海 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法。公开了提供不同频率的多个射频信号，其中所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于偶次谐波关系，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于固定的相位关系，多个射频信号具有相应的频率，所述相应的频率被设定为在所述等离子体产生区域内将所述工艺气体组合物转变成所述等离子体以使所述膜沉积在所述晶片上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 等离子体 处理 晶片 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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