[发明专利]一种三合一硅片镀膜工艺在审
| 申请号： | 202010824658.X | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112117188A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王军;张三洋;赵飞 | 申请（专利权）人： | 无锡赛瑞达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三合一硅片镀膜工艺，涉及晶硅电池制造领域，采用O3+O2+H2O作为混合氧源氧化方式,可以在较低温度下生成氧化层，在Al2O3膜层生长采用原子层沉积技术（ALD）加等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式，成膜既有原子层沉积技术的优良特性又具有等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式的快速特点,在使用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方式成膜之前,有热SiO2以及原子层沉积技术（ALD）生产的Al2O3保护表面，能够阻挡离子损伤，避免效率损失；Si02、AL2O3、SiNx三种不同特性的膜在同一炉管腔体内完成，减少硅片运输、插片卸片、存储等步骤，膜层界面也没有在空气中暴露污染的风险，成本更低、工艺步骤简单，适用于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三合一 硅片 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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