[发明专利]半导体结构、增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010824731.3 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952176A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 罗剑生;陈建国 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3065;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构、增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：形成GaN外延结构，所述GaN外延结构包括：叠层结构及P‑GaN层，所述P‑GaN层形成于所述叠层结构的上表面；刻蚀所述P‑GaN层，以形成栅极区域以及位于所述栅极区域外围的钝化区域，且所述钝化区域的厚度小于所述栅极区域的厚度；对所述钝化区域作钝化处理，以于所述叠层结构内形成二维电子气。通过刻蚀技术与钝化处理结合的方式，改善了增强型半导体结构的片内和片间均匀性。经过上述过程，可形成质量较好的P‑GaN层，对叠层结构基本不造成损伤，并且工艺可重复性强，均匀性良好，适合量产工艺的开发。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 增强 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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