[发明专利]一种带有封孔层的铜互连结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010825093.7 申请日: 2020-08-17
公开(公告)号: CN112151504B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
代理公司: 北京得信知识产权代理有限公司 11511 代理人: 孟海娟
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种带有封孔层的铜互连结构及其制备方法。该带有封孔层的铜互连结构包括:第一层金属互连线(200);通孔/沟槽结构,形成在由第一刻蚀终止层(201)、第一介质层(202)、第二刻蚀终止层(203)和第二介质层(204)所构成的叠层中,其中,通孔位于沟槽下方;PTCDA薄膜(205)和SiO2薄膜(206),其中,PTCDA薄膜(205)覆盖所述通孔/沟槽结构内部的侧壁和部分通孔底部,SiO2薄膜(206)覆盖PTCDA薄膜(205)表面;铜扩散阻挡层(208),覆盖所述SiO2薄膜(206)和所述通孔底部;第二层金属互连线(209),覆盖所述铜扩散阻挡层(208)表面并完全填充通孔/沟槽结构内部;铜扩散覆盖层(210),覆盖上述结构的上表面。本发明能够有效防止铜扩散阻挡层渗透到低介电常数薄膜的孔状结构内部,避免漏电风险,同时降低铜扩散阻挡层在生长过程中出现针孔的几率。
搜索关键词: 一种 带有 封孔层 互连 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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