[发明专利]基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202010826165.X | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111816739B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;胡琳琳;王学炜;张雅超;段小玲;陈大正;宁静;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于氧化镓衬底的高效紫外发光二极管及制备方法，其中，该发光二极管包括：自下而上依次层叠的衬底层、AlN成核层、n型GaN层、量子阱层和p型BN层；第一电极，设置在n型GaN层的上表面；第二电极，设置在p型BN层的上表面；其中，衬底层为Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 氧化 衬底 高效 紫外 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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