[发明专利]IGBT制作方法及IGBT半导体结构在审
| 申请号： | 202010827608.7 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111986994A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 黄传伟;夏华秋;诸建周 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡风创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32461 | 代理人： | 邱国栋 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种IGBT制作方法及IGBT半导体结构，涉及功率器件技术领域，所述IGBT制作方法包括：在基板上形成沟槽结构；在所述沟槽结构的底部进行注入，得到载流子增强埋层区域；在所述沟槽区域上继续形成多晶硅栅极，并继续形成基区、N+源区、介质层以及金属层；解决了现有技术中在相同短路能力下损失了芯片面积，造成了成本升高或者相同芯片面积又造成了电流密度下降，Vcesat增加的问题；达到了在拥有较好的短路能力以及提升电流密度的同时可以进一步降低Vcesat的效果。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 制作方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
