[发明专利]基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010828201.6 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN111952467A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 杨尊先;郭太良;刘佳慧;徐雷;林诗敏;陈恩果;周雄图;吴朝兴;李福山;王嘉祥 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 丘鸿超;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜,随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液,使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层,再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层,并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金,最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合,钝化了钙钛矿的表面缺陷,并且在一定程度上阻止其发生相变,从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
搜索关键词: 基于 氧化 石墨 钝化 钙钛矿 薄膜 发光二极管 器件 制备 方法
【主权项】:
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