[发明专利]一种激光退火装置在审
| 申请号： | 202010828593.6 | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952159A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 侯煜;李纪东;李曼;张喆;王然;张紫辰;张昆鹏;易飞跃;杨顺凯;王瑜 | 申请（专利权）人： | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;H01S3/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种激光退火装置，包括保持晶圆的载物台、单个发射激光光束的激光器；还设置有将激光器发射出的激光光束分束为至少两束光束的分束及整形系统。还设置有与至少两束光束一一对应的至少两个菲涅尔透镜，每个菲涅尔透镜具有至少两组不同焦距的透镜区域，以将对应的光束聚焦出至少两个互不重合的焦点。还设置有将至少两束光束合在一起并聚焦在晶圆的至少两个不同设定深度层的合束系统，至少两个互不重合的焦点中的每个焦点位于该焦点对应设定深度层上。通过设置每个菲涅尔透镜具有至少两组不同焦距的透镜区域，将至少两束光束合在一起并聚焦到晶圆的至少两个不同的设定深度层，以对晶圆的至少两个不同的设定深度层进行同时退火。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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