[发明专利]一种RFID芯片上的ESD装置在审
| 申请号： | 202010828858.2 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111914978A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 韦强;张建伟 | 申请（专利权）人： | 上海明矽微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rfid 芯片 esd 装置 | ||
【主权项】：
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