[发明专利]一种纳米开关器件及其制备方法在审
申请号: | 202010830470.6 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN111816704A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 左朋;汪洋;贾晓云;杨浩军;王晓晖;丁国建;张宇超;冯琦;王海玲;贾海强;陈弘 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供一种纳米开关器件及其制备方法,涉及半导体高电子迁移率晶体管技术领域。纳米开关器件包括依次层叠布置的衬底、缓冲层和沟道层,沟道层表面具有V型槽,沟道层表面且位于V型槽两侧分别设置有势垒层,势垒层表面分别设置有源极和漏级,V型槽表面设置有钝化层,钝化层表面设置有栅极。沟道层的材质为GaN基材料,在外延生长过程中其表面会形成能够充当人工刻蚀凹槽的V型槽。在栅极不加电压时,V型槽能够阻断势垒层和沟道层形成的二维电子气,阻断源极和漏级之间形成电流,使器件在栅极不加电压下处于常关状态;当给栅极加电压时,V型槽下面的沟道层会聚集电荷,使源极和漏级之间的二维电子气导通。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 开关 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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