[发明专利]一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器有效
| 申请号： | 202010830539.5 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111999917B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 余宇;付思东 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电光移相器掺杂结构、制备方法及电光调制器，属于半导体光电子器件领域，电光移相器掺杂结构包括脊形光波导，脊形光波导包括脊区以及位于脊区两侧的肋区，脊区包括N型掺杂脊区和P型掺杂脊区，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面处形成两段纵向倾斜PN结以及连接该两段纵向倾斜PN结的横向倾斜PN结；其中，N型掺杂脊区和P型掺杂脊区的分界面与脊区的左右侧面不相交。本发明中的掺杂结构，增大移相器中光场与PN结的重叠面积，提高移相效率，具有更低的驱动电压，降低了移相器功耗，对移相器调制带宽影响非常小，与CMOS工艺兼容且具有较大的工艺容差，从而保证器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 移相器 掺杂 结构 制备 方法 调制器 | ||
【主权项】：
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