[发明专利]激光退火铜层结构热处理方法及线性整合激光退火装置在审
| 申请号： | 202010830719.3 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111968940A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 谭祾月;李明;陈淑慧;韩思琳 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种激光退火铜层结构热处理方法，通过线性整形激光束斑的扫描铜层，所述铜层为电镀铜镀层或溅射铜种子层。本发明还公开了一种线性整合激光退火装置，包括激光器、移动平台装置、激光线性整合棱镜、操作系统。本发明的激光退火热处理方法及线性整合激光退火装置，能有效提高铜膜的晶粒的完整性，降低铜膜的杂质含量，并能局部加热以适应于更多精密制备场景，得到沿激光退火扫描方向生长的类柱状晶铜结构或柱状晶结构，得到的类柱状晶铜结构或柱状晶结构晶粒尺寸较大而具有优秀的电性能，优化铜互连线的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 结构 热处理 方法 线性 整合 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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