[发明专利]基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法有效
| 申请号： | 202010831570.0 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111965761B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 金贤敏;韩丰恺;李轩坤;刘民 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293;G02B6/34;G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 薄膜 材料 光栅 耦合器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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