[发明专利]MOSFET的制作方法及MOSFET在审
| 申请号： | 202010832086.X | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112053956A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 方明旭;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MOSFET的制作方法及MOSFET，该方法包括：在衬底上形成栅氧层，衬底包括硅，栅氧层包括二氧化硅；在栅氧层上沉积形成多晶硅层；通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成MOSFET的栅极；对栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；进行SD注入，在栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；其中，在栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至栅氧和衬底的界面处。本申请通过在形成多晶硅层之后进行氟离子注入使氟元素扩散至栅极和衬底的界面，从而使氟元素取代界面的部分氢元素，使氟元素取代界面的部分氢元素，减弱了NBTI效应或HCI效应。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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