[发明专利]光刻标记、对准标记及对准方法有效
| 申请号： | 202010832174.X | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111948919B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 童立峰;李铭;陈继华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻标记、对准标记以及对准方法。所述光刻标记包括：遮光结构和感光结构。所述遮光结构上设有多个盲孔，所述感光结构填充于多个所述盲孔内并且能够在一定光照下消失。基于同一发明构思，本发明还提供一种对准标记，包括第一对准标记和第二对准标记，所述第二对准标记包括至少一个所述光刻标记。当机台提供的光束照射于所述第二对准标记上，所述感光结构消失，则所述盲孔暴露。因盲孔的底面低于所述遮光结构的表面以满足机台的测量范围，从而使得在保障所述光刻标记厚度的同时，能够通过所述盲孔精准测得所述第二对准标记相对于所述第一对准标记的偏移量，进而能够实现各衬底层之间的位置对准，提高器件性能及产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 标记 对准 方法 | ||
【主权项】：
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