[发明专利]深沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202010832187.7 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111834287B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 单铎;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构，所述制备方法包括：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽。在衬底表面及沟槽表面依次形成高K介电层和第一氧化层。在第一氧化层上依次形成第一氮化层和第二氮化层。其中，第一氮化层中的氢原子含量低于第二氮化层中的氢原子含量，且第一氮化层能够俘获高K介电层和第一氧化层中析出的氢原子。因此，本发明通过设置第一氮化层，并利用第一氮化层中的氢原子含量较低，以使得在高温工艺后，从高K介电层和第一氧化层中析出的氢原子能够与第一氮化层进行化学融合，进而避免析出的各氢原子之间相互作用而形成氢气，造成膜层的鼓包缺陷，以提高器件的性能和产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 隔离 结构 制备 方法 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010832187.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
