[发明专利]一种晶片刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010833030.6 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111816604B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京智创芯源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/68;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王晓坤 |
| 地址： | 100095 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了晶片刻蚀方法，包括获得待处理硅托盘；在待处理硅托盘的上表面制作用于固定晶片的定位凹槽；在定位凹槽的底部向下制作用于阻止导热介质外溢的储液环槽，得到硅托盘，储液环槽的尺寸小于定位凹槽的尺寸；在位于储液环槽区域内的定位凹槽中放入导热介质；将晶片放入定位凹槽中；将容纳有晶片的硅托盘置于干法刻蚀设备中对晶片进行刻蚀，得到具有刻蚀图形的晶片。本申请制作出具有定位凹槽和储液环槽的硅托盘，硅托盘成本低，利用储液环槽阻止导热介质外溢，因而不会与刻蚀气体反应产生杂质，晶片容纳于定位凹槽中，可避免晶片滑动，且不需对晶片按压，降低碎片率，同时晶片所在区域并不受影响，保证刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智创芯源科技有限公司，未经北京智创芯源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010833030.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：褪黑素在制备抗肠道病毒药物中的应用
- 下一篇：吸尘器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
