[发明专利]一种宽烧结温区低损耗微波介质陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010833809.8 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN111943671B 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 姚国光;裴翠锦;谭晶晶;李阳;闫佳欣 申请(专利权)人: 西安邮电大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710121 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种宽烧结温区低损耗微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷的物相为岩盐结构Li3Mg4NbO8,介电常数εr范围为13.0~13.8,品质因数Q×f为0.900~1.034×105GHz,谐振频率温度系数τf范围为‑35.6~‑37.5ppm/℃。本发明陶瓷烧结温区宽(1075~1200℃)、物相组成稳定,具有较高的品质因数,介电损耗较低,其采用传统固相工艺制备而成,所用原料丰富、成本低廉,有利于工业化生产,可广泛应用于微波介质基板、滤波器、天线等微波器件的制造。
搜索关键词: 一种 烧结 温区低 损耗 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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