[发明专利]高丹草宽窄行一穴双株膜上覆土栽培方法在审
| 申请号： | 202010834420.5 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111919676A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘贵波;李源;赵海明;游永亮;武瑞鑫 | 申请（专利权）人： | 河北省农林科学院旱作农业研究所 |
| 主分类号： | A01G20/00 | 分类号： | A01G20/00;A01G13/02 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 周大伟 |
| 地址： | 053000 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明属于牧草栽培技术领域，提出了高丹草宽窄行一穴双株膜上覆土栽培方法，包括播种高丹草种子后覆膜，覆膜完成后进行膜上覆土，所述膜上覆土是在所覆膜上，以高丹草种子为中心，半径10cm内覆上2‑3cm的土层。通过上述技术方案，在保证产量和效益的同时，解决了现有技术中高丹草播种后一个月因气候干旱、少雨多风、地表蒸发大，导致耕层土壤水分散失严重、播种后保苗困难、出苗率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高丹草 宽窄 行一穴双株膜上覆土 栽培 方法 | ||
【主权项】：
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