[发明专利]一种掺镓电池制备方法在审
| 申请号： | 202010835088.4 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111933755A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨斌 | 申请（专利权）人： | 东方日升（常州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人： | 祝进 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种掺镓电池制备方法通过合理的设置电注入设备的参数，结合电流钝化的原理提升掺镓PERC电池的体钝化效果，从而在掺镓电池生产过程中可以有效的提升掺镓PERC电池的转换效率，提高产品在市场的竞争力，另外，将作为因为产业升级后闲置资源的电注入设备有效的利用起来，使其产生经济效益，减少浪费。本发明的主要工序包括：制绒→磷扩散→激光SE→刻蚀→热氧钝化→钝化→丝网印刷→烧结→130‑350℃电注入提效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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