[发明专利]一种在接触式光刻机上实现接近式曝光的光刻版及其应用方法在审
申请号: | 202010835631.0 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN114077152A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 孙春明;苏建;郑兆河;夏伟;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/60;G03F7/20 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 王素平 |
地址: | 250101 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种在接触式光刻机上实现接近式曝光的光刻版及其应用方法,所述光刻版包括透明基板、所述透明基板上设置有圆柱体,在设置有圆柱体的透明基板的一面上设置有铬层,所述铬层位于透明基板以及圆柱体的上端面上。上述光刻板的应用方法,包括步骤:在基片上均匀涂覆一层光刻胶,经烘烤,得到带有光刻胶的基片;将带有光刻胶的基片放入接触式光刻机承片台上,基片涂覆有光刻胶的一面与光刻板中的圆柱体接触,进行光刻曝光;将基片与光刻板进行烘烤,之后取下光刻版,将基片进行显影处理。本发明的方法利用本发明的光刻版,在接触式光刻机上实现接近式曝光,成本较低且工作效率高,适合大批量生产;可以延长光刻版的寿命,提高工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 光刻 实现 接近 曝光 及其 应用 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备