[发明专利]数据存储单元、存储器及其存储器制作方法在审
申请号: | 202010835714.X | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN114078900A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 李国兴;薛胜元 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种数据存储单元、存储器及其存储器制作方法,其中该存储器形成方法包括形成多个栅电极线,以分别形成多个数据存储单元的栅极,以及形成多个导电线。多个数据存储单元呈阵列排列。多个导电线中的每一者耦接至多个栅电极线中的两个栅电极线,多个导电线中的每一者与多个栅电极线中的两个栅电极线至少部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 数据 存储 单元 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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