[发明专利]场效应晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202010837258.2 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN111952366A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 陈建国;罗剑生 | 申请(专利权)人: | 深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/51;H01L29/423;H01L21/335 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 马小悦 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括外延层、栅极介质层、栅极场板、源极和漏极,外延层包括衬底和在衬底上依次层叠设置的沟道层、势垒层和钝化层,栅极介质层设置于钝化层上,源极和漏极设置于栅极介质层的相对两侧;栅极介质层中设有暴露出部分钝化层的窗口,窗口靠近漏极的侧壁设置为击穿电压增强结构,击穿电压增强结构中具有多个组成段,相邻的组成段中,距钝化层较远的组成段的侧壁与漏极间的距离短于距钝化层较近的组成段的侧壁与漏极间的距离。该场效应管能够有效改善栅极靠近漏极附近存在极高电场峰值的问题。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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