[发明专利]一种调控FeS2在审

专利信息
申请号: 202010837451.6 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN112062165A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 曹澥宏;高鑫隆;施文慧;毛静;阮鹏超 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C01G49/12 分类号: C01G49/12;C01B32/19;C02F1/469
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及复合材料制备领域,针对在石墨烯中引入法拉第电容材料限制了离子快速传输不足等问题,提供一种调控FeS2/还原氧化石墨烯致密组装结构的方法,包括以下步骤:(1)Mil88金属有机框架物的合成;(2)Mil88/GO/S粉末的制备;(3)致密FeS2/还原氧化石墨烯的制备。本发明工艺高效稳定、流程简单,有效节约能源,可以实现致密FeS2/还原氧化石墨烯电极的制备,同时又兼顾了可供钠离子快速传输的通道,从而大幅度提升材料的体积脱盐能力;且制备所得的致密FeS2/还原氧化石墨烯复合材料在常规条件下的电容去离子技术中表现出优异的电化学活性和稳定性。
搜索关键词: 一种 调控 fes base sub
【主权项】:
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