[发明专利]气隙式膜体声谐振器在审
| 申请号： | 202010839372.9 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112398459A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 金炳宪;朴钟贤;高庸熏;金炯佑 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种气隙式膜体声谐振器(FBAR)，包括：基板，其包括具有顶表面的气隙部分，在该气隙部分中形成基板腔；下电极，其形成在所述基板上方，同时围绕所述气隙部分；压电层，其形成在所述下电极上方；以及上电极，其形成在所述压电层上方，对应于根据所述气隙部分的垂直投影形成的虚拟区域。这里，所述压电层包括在所述下电极和所述上电极之间具有压电腔的空隙部分，并且所述空隙部分形成在与所述上电极的端部相对应的边缘部分下方。 | ||
| 搜索关键词： | 气隙式膜体声 谐振器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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