[发明专利]集成型GaN器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010840368.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111710651B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 马飞;邹鹏辉;郑礼锭;蔡泉福 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种集成型GaN器件及其制备方法，制备方法包括：在半导体外延结构上制备不同器件的源漏电极，制备器件隔离结构，刻蚀外延帽层和势垒层，制备显露GaN沟道层的栅极开口，外延帽层及势垒层采用不同工艺去除，制备栅介质层及栅极结构，得到不同器件，再制备互连电极结构，实现器件互连。本发明在同一半导体外延衬底上有效集成了第一器件和第二器件，为电路设计提供多种可行性设计，减少了寄生及成本。通过工艺设计，除栅极开口的刻蚀外，其他步骤都同时进行，不增加工艺难度，在提升器件整体性能的同时节约了后道封装成本。对于形成栅极开口过程中的外延帽层及势垒层的刻蚀，可以更好的控制刻蚀精度，避免传统刻蚀对材料造成的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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