[发明专利]混合标准单元和使用其设计集成电路的方法

摘要

本公开涉及一种混合标准单元，该混合标准单元包括半导体衬底、第一电力轨、第二电力轨、高速晶体管区域和低功率晶体管区域。第一电力轨和第二电力轨形成在半导体衬底上方，在第一方向上延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上顺序地布置。高速晶体管区域和低功率晶体管区域在第一方向上彼此相邻，并且布置在第一电力轨和第二电力轨之间的行区域中。形成在高速晶体管区域中的高速晶体管的操作速度高于形成在低功率晶体管区域中的低功率晶体管的操作速度，并且低功率晶体管的功耗低于高速晶体管的功耗。