[发明专利]具有垂直间隔的沟道材料片段的集成组合件及形成集成组合件的方法

摘要

本发明涉及具有垂直间隔的沟道材料片段的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有交替绝缘层与导电层的垂直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层包含控制栅极区域及接近所述控制栅极区域的远端区域。所述控制栅极区域具有前表面、顶部表面及底部表面。所述顶部及底部表面从所述前表面向后延伸。高k电介质材料是沿着所述控制栅极区域。所述高k电介质材料具有沿着所述顶部及底部表面的第一区域，且具有沿着所述前表面的第二区域。所述第一区域比所述第二区域厚。电荷阻挡材料邻近所述高k电介质材料的所述第二区域。电荷存储材料邻近所述电荷阻挡材料。栅极电介质材料邻近所述电荷存储材料。沟道材料邻近所述栅极电介质材料。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。