[发明专利]成膜装置及成膜方法

摘要

本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是：在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时，无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中，包括如下工序：向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅的原料气体和对前述原料气体进行氮化的氮化气体，沿着前述基板的表面形成保形的硅氮化膜的工序；在停止向前述处理容器内供给硅原料气体的状态下，向前述基板供给用于对前述硅氮化膜进行整形的等离子体化的整形用气体，以使前述硅氮化膜的膜厚自凹部图案的底部侧向上部侧变薄的方式使前述硅氮化膜收缩的工序；和，交替地重复进行形成前述硅氮化膜的工序与使前述硅氮化膜收缩的工序，将硅氮化膜嵌入于前述凹部图案的工序。