[发明专利]一种二维全无机钙钛矿晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010842728.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111933697A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 常晶晶;林珍华;王家平;苏杰;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种以二维全无机钙钛矿材料为半导体层的钙钛矿晶体管，主要解决传统钙钛矿晶体管电荷迁移率低，稳定性差的问题。其自下而上包括衬底(1)、绝缘层(3)和半导体层(5)，绝缘层(3)中包裹有栅电极(2)，半导体层(5)中包裹有对称的源漏电极(4)。该半导体层采用二维全无机钙钛矿Cs |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 无机 钙钛矿 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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