[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010843263.4 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112447600A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 徐崇威;江国诚;程冠伦;陈豪育;蔡庆威;王志豪;朱龙琨;黄懋霖;余佳霓 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开半导体装置与其形成方法。例示性的方法包括形成第一堆叠结构与第二堆叠结构于基板上的第一区中，其中堆叠结构各自包括彼此分开且沿着一般垂直于基板的上表面的方向向上堆叠的多个半导体层；沉积第一界面层，以围绕堆叠结构的每一半导体层；沉积栅极介电层，以围绕第一界面层；形成偶极氧化物层，以围绕栅极介电层；移除围绕第二堆叠结构的栅极介电层的偶极氧化物层；进行退火工艺，以形成第一堆叠结构所用的偶极的栅极介电层，以及第二堆叠结构所用的不具偶极的栅极介电层；以及沉积第一栅极，以围绕第一堆叠结构的偶极的栅极介电层与第二堆叠结构的不具偶极的栅极介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
