[发明专利]一种高熵合金薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010843942.1 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111926303A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 任卫;赵东兴;冯爱玲;商世广;苗瑞霞;夏军波 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学;宝鸡文理学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 蒋雪琴 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种高熵合金薄膜的制备方法，包括：清洗基底；将基底放置在磁控溅射仪真空室的样品台上；将高熵合金靶材放入真空室的溅射阴极处；对真空室进行抽真空处理使真空度小于1*10 |
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| 搜索关键词： | 一种 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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