[发明专利]一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法在审
| 申请号： | 202010844426.0 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN112054060A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王家佳;李多力;曾传滨;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种体接触SOI MOS器件结构及形成方法，该器件结构包括：位于SOI衬底顶层硅中的有源区、体引出区、刻蚀到顶层硅第一深度的部分浅槽隔离区、刻蚀到埋氧层的完全浅槽隔离区、以及位于顶层硅上方的栅极，有源区包括源区、漏区、沟道以及体接触区；部分浅槽隔离区为工型区域且位于有源区的外围，源区、漏区以及沟道位于工型区域的第一开口内，体接触区位于工型区域的第二开口内；体引出区位于部分浅槽隔离区下方，并与沟道下方的体区以及体接触区接触。上述方案中，器件沟道下方的体区能够接触到部分浅槽隔离区下方的体引出区，由于体引出区与体接触区接触，有效的抑制了浮体效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 soi mos 器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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