[发明专利]一种波导耦合的光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010846271.4 | 申请日: | 2020-08-20 |
公开(公告)号: | CN111952399B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 刘智;成步文;郑军;薛春来 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙蕾 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种波导耦合的光电探测器及其制备方法。其中,本发明的一个方面提供了一种波导耦合的光电探测器,可以包括:衬底,包括底部硅材料层、中间二氧化硅填埋层和顶层硅;波导层和微结构倍增区,由衬底上的部分顶层硅刻蚀而成,其中,微结构倍增区用于调控电场分布和/或电场强弱,在波导层和微结构倍增区制备有掺杂区;二氧化硅窗口层,覆盖于波导层、微结构倍增区和掺杂区的部分表面,其中,在二氧化硅窗口层上开有外延窗口;光吸收层,布置在外延窗口中;绝缘介质层,覆盖于光吸收层和二氧化硅窗口层上,在二氧化硅窗口层和绝缘介质层上开有电极窗口;电极,电极包括n电极和p电极,设置于电极窗口中。 | ||
搜索关键词: | 一种 波导 耦合 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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