[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010847335.2 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420647A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 中西一浩;山北茂洋;野岛和弘;门多健一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/18;H01L21/98;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供能够提高由焊盘等引起的成品率的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备：基板；下部焊盘，设置于所述基板的上方；以及上部焊盘，设置于所述下部焊盘上。所述下部焊盘包括第一焊盘和设置于所述第一焊盘上的多个第一连接部，所述上部焊盘设置于所述多个第一连接部上，或者，所述上部焊盘包括第二焊盘和设置于所述第二焊盘下的多个第二连接部，所述下部焊盘设置于所述多个第二连接部下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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