[发明专利]一种利用高温生长SiO2

摘要

本发明公开了一种利用高温生长SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管制备方法，步骤依次包括PET柔性塑料衬底表面镀ITO底栅电极、采用SOI材料制作由多孔硅纳米薄膜与SOI硅基底构成双层硅贴合体、制作利用高温生长的SiO2栅介质层翻转后与硬质硅基底表面连接、N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜表面制作源极与漏极金属钛电极及利用高温生长的SiO2栅介质层同硬质硅基底表面分离与ITO底栅电极连接；本发明一种利用高温生长SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管制备方法制备的SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管具有电学性能好、稳定性高的特点。