[发明专利]一种精确控制PVT法晶体生长气体压力的系统及方法在审
| 申请号： | 202010848847.0 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111793821A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;F17D1/02;F17D3/01;F17D1/065;F17D5/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 刘坤 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种精确控制PVT法晶体生长气体压力的系统及方法，属于PVT法晶体生长技术领域。为解决现有PVT法晶体生长无法精确控制气体压力的问题，本发明提供了一种精确控制PVT法晶体生长气体压力的系统，包括与晶体生长炉连通的氮气气源支路、氩气气源支路和排气支路，排气支路上设有精密比例阀、第五电动截止阀和真空泵；晶体生长炉上还设有气体压力传感器，气体压力传感器与监控主机连接，同时监控主机与精密比例阀、所有电动截止阀、气体流量计和比例阀连接。本发明实现了持续供气的情况下，保持炉内气体压力恒定及炉内气体组份恒定，保证了晶体生长的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精确 控制 pvt 晶体生长 气体 压力 系统 方法 | ||
【主权项】：
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