[发明专利]改善自热效应的SOI器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010849581.1 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111986996B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善自热效应的SOI器件及其制备方法，制备包括：提供具有空腔结构的半导体衬底，空腔结构位于顶半导体层中并显露绝缘层，制备包覆空腔结构的有源区，制备栅极结构，源漏区及源漏电极。本发明采用含有纳米级空腔的SOI衬底，空腔结构位于顶半导体层中，有效减少空腔体积，空腔在沟道长度方向为纳米级尺寸，不会明显阻挡器件的散热路径，与含有大尺寸空腔的器件相比，减缓了自热效应。空腔上方顶半导体层理论上可以达到2nm厚度同时保证顶层硅不发生破损，沟道可以被栅电极全耗尽，有效抑制浮体效应。空腔位于顶半导体层中且与绝缘层接触，绝缘层中的寄生电荷不能在顶半导体层底部引入寄生沟道，有效抑制总剂量辐射效应。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 热效应 soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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