[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010850100.9 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112447709A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄麟淯;游力蓁;张家豪;庄正吉;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构。半导体结构包括栅极堆叠、间隔物、第一蚀刻停止层、第一介电层及第二介电层。栅极堆叠设置在半导体基板上，并且具有第一高度；间隔物设置在栅极堆叠的侧壁上，并且具有第二高度，第二高度大于第一高度；第一蚀刻停止层设置在栅极间隔物的侧壁上，并且具有第三高度，第三高度大于第二高度。第一介电层设置在栅极堆叠上，并且接触栅极间隔物以及第一蚀刻停止层；第二介电层设置在第一介电层上，并且接触第一蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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