[发明专利]基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明提供一种基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层上形成有条形栅极，条形栅极两侧分别形成有第一极与第二极，第一极为源极与漏极中的一个，第二极为源极与漏极中的另一个，绝缘层中形成有环形空腔，环形空腔在垂直投影方向上包围第一极，条形栅极位于环形空腔的一个边腔上方，边腔的宽度大于、等于或小于条形栅极的宽度，且边腔在垂直投影方向上完全覆盖条形栅极。本发明在源区或/及漏区下方引入环型空腔，且环型空腔的一边腔在垂直投影方向上完全覆盖条形栅极，可以彻底消除绝缘层导电沟道重叠构成的侧边结构，消除漏电通道，可大大提高抗总剂量辐照性能。