[发明专利]具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202010850620.X | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111952241A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 俞文杰;刘强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/764;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底和第二基底，在第一基底中进行离子注入形成预设剥离层，将第一基底和第二基底相键合，沿预设剥离层剥离，得到具有空腔结构的半导体衬底，空腔结构中还具有支撑结构，支撑结构的顶部表面与图形化介质层的上表面相平齐。本发明将空腔结构设计为具有支撑结构的空腔结构，即形成半包围式、全包围式环岛空腔，在剥离界面已经确定的情况下，可以在一定区域内，获得较大的空腔面积，含有半包围、全包围结构的环岛空腔，可以减少空腔的特征尺寸，避免顶层硅发生破损。通过控制预设剥离层的形成方式改善空腔上材料磨损情况。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 辅助 支撑 结构 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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