[发明专利]红外探测器、红外成像仪及红外探测器的制备方法在审
申请号: | 202010852134.1 | 申请日: | 2020-08-21 |
公开(公告)号: | CN111916513A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 褚沁蓉;户磊 | 申请(专利权)人: | 合肥的卢深视科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18;H01L27/146 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 马瑞 |
地址: | 230000 安徽省合肥市高新区习友路3333*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种红外探测器、红外成像仪及红外探测器的制备方法,红外探测器包括至少一个像元,所述像元包括:从下至上依次设置的衬底层、至少一个层叠结构和顶层电极层;所述层叠结构包括从下至上依次设置的电极层和量子点红外吸收层;其中,所述量子点红外吸收层中包含有预设数量的胶体量子点,用于探测红外辐射;其中,不同层叠结构中的量子点红外吸收层探测的红外辐射的波长不同。该红外探测器制备工艺简单、成本低廉,此外,由于不同层叠结构中的量子点红外吸收层探测的红外辐射的波长不同,因此将不同探测波长的红外探测材料集成在同一个衬底结构上,可以较好地扩大红外探测器探测范围,提高系统性能。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 红外 成像 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的