[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010854186.2 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN113270487A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 小林仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供的低电阻的半导体装置具备：第1及第2氮化物半导体层及设于它们间的氮化物绝缘层；多个第1～第4漏极电极及多个第1及第2源极电极，各自的一部分设于氮化物绝缘层之上及之下，在第1方向上分别隔开第1、第2、第5、第6、第9、第10长度；多个第2漏极电极在第1、第2方向上从多个第1漏极电极分别偏移第3、第4长度；多个第3漏极电极在第2方向上与多个第1及第2漏极电极分别隔开；多个第4漏极电极在第1、第2方向上分别从多个第3漏极电极偏移第7、第8长度，从多个第1、第2漏极电极分别隔开；多个第2源极电极在第1、第2方向上从多个第1源极电极分别偏移第11、第12长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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