[发明专利]一种凹槽芯片嵌入工艺有效
| 申请号： | 202010855312.6 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111952243B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;黄雷;高群;郭西;顾毛毛 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种凹槽芯片嵌入工艺，包括以下步骤：(a)提供硅片，并在硅片上表面刻蚀多个TSV孔，形成TSV区，然后形成第一钝化层，在第一钝化层和种子层；(b)电镀金属，使金属充满TSV孔形成金属柱；(c)将硅片下表面做减薄处理，刻蚀凹槽；(d)在硅片下表面形成第三钝化层，在第三钝化层上涂布光刻胶；(e)去除金属柱表面第三钝化层、金属柱和光刻胶；(f)在凹槽底部填焊锡，嵌入芯片，拆临时键合得到芯片嵌入结构。本发明的技术方案通过在铜柱腐蚀的时候在铜柱表面增加金属层，做硬罩幕层，在铜柱底部增加保护介质做高度控制层，使铜柱被腐蚀后能停在保护介质中，去除保护介质，使铜柱露出，精确控制铜柱的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹槽 芯片 嵌入 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010855312.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
