[发明专利]一种低功耗的磁性随机存储器及其写入、读取方法有效
| 申请号： | 202010855972.4 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN112201745B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 朱大鹏;傅晓;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低功耗的磁性随机存储器及其写入、读取方法，其中，所述存储器主要由自旋轨道矩材料层、自由层、隧穿层、参考层、钉扎层和电极等组成，在所述的自旋轨道矩材料层和自由层之间加入反铁磁绝缘体层，用于传导并放大自旋流。写入方法：包括写入平行状态和反平行状态的过程，对应分别数字“0”和“1”；读取方法：电流由读取电极流经隧道结，再由另一电极形成闭合回路，实现数据读取操作。本发明可提高电流转化效率，降低临界翻转电流密度，从而降低写入功耗；该方法将写入路径和读取路径完全分开，因此可以增大隧穿层厚度，提高TMR阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 磁性 随机 存储器 及其 写入 读取 方法 | ||
【主权项】：
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