[发明专利]一种0D/2D复合纳米材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010856503.4 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN112108162B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 张敏;刘兆磊 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: B01J27/08 分类号: B01J27/08;B01J23/31;C01B32/40;B01D53/86;B01D53/62
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 林德强
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种0D/2D复合纳米材料及其制备方法和应用,所述复合纳米材料包括Bi2WO6纳米片和位于Bi2WO6纳米片晶格内的Cs3Bi2I9纳米颗粒。本发明的Cs3Bi2I9纳米颗粒生长在Bi2WO6纳米片晶格中,可与Bi2WO6共享Bi原子。Bi原子的共享为Bi2WO6和Cs3Bi2I9两种半导体之间的电子传输提供了一个桥梁的作用,可降低半导体自身的光生电子和空穴的复合速率,从而提升光催化性能。
搜索关键词: 一种 复合 纳米 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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