[发明专利]用于化学气相沉积单晶金刚石高速生长的等离子体聚集装置有效
| 申请号： | 202010857467.3 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111979579B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;李一村;代兵;郝晓斌;刘雪冬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00;C23C16/27;C23C16/511 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 用于化学气相沉积单晶金刚石高速生长的等离子体聚集装置，本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积设备中的等离子体聚集装置，它为了解决现有微波等离子体化学气相沉积金刚石生长过程中金刚石生长速率较慢的问题。本发明等离子体聚集装置包括基座、中心柱和底座，基座为球台形，基座的中心处开有中心通孔；中心柱的顶部开有样品凹槽，中心柱的底部带有外螺纹；底座的上表面开有沉孔，底座的中心开有螺纹孔，中心柱插入基座的中心通孔内，中心柱的底部插入螺纹孔中与底座螺纹连接，基座嵌入底座的沉孔内。本发明等离子体聚集装置通过改变腔体内金属边界的形状来改变电场聚集的位置和强度，显著增强MPCVD中的等离子体密度，提高生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 沉积 金刚石 高速 生长 等离子体 聚集 装置 | ||
【主权项】：
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