[发明专利]一种基于MXene电极的离子传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010858520.1 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111854595B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 胡颖;朱克福;吴玉程;金珂;沈锦杰;王枭杰;常龙飞;刘家琴 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;G01L1/00;B05D1/26;B05D7/24;B29C41/24;B29L7/00 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 叶濛濛 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于MXene电极的离子传感器，涉及柔性离子传感器技术领域，本发明包括离子聚合物膜和两层包含MXene的电极层，所述离子聚合物膜位于两层包含MXene的电极层之间，所述离子聚合物膜主要由离子液体和热塑性聚氨酯制成。本发明还包括上述离子传感器的制备方法。本发明的有益效果在于：本发明中的离子传感器无需电镀金属电极，可以直接将包含MXene的电极层作为电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mxene 电极 离子 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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