[发明专利]一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法；包括P型掺镓硅片衬底，设置在衬底背面的氧化镓层，设置在氧化镓层上的氮化硅层，所述氧化镓层、氮化硅层与衬底之间设置有局部钝化场，即掺镓背场，设置在氮化硅层上的背电极，所述背电极通过掺镓背场与硅片形成欧姆接触；本发明中通过在P型PERC中导入低衰减的掺镓硅片，利用氧化镓对其硅表面形成钝化效果，同时使用激光掺杂技术，形成较强的背场效果，进一步减少少数载流子复合，从而克服现有的P型PERC电池，背面背场只能用铝浆形成，不能有效掺入硼加强背场效果的不足。