[发明专利]曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010860333.7 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN111952377A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 刘孔;王智杰;曲胜春;吴玉林;岳世忠;孙阳;李其聪;杨诚 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 刘歌
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法,该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池;曲面陷光结构,设置在硅下电池上;载流子复合层,设置在曲面陷光结构上;钙钛矿上电池,设置在载流子复合层上;透明电极,设置在钙钛矿上电池上;以及金属电极,设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构,不容易导致薄膜中缺陷态的产生;曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜,因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。
搜索关键词: 曲面 结构 钙钛矿 硅叠层 太阳电池 及其 制作方法
【主权项】:
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