[发明专利]曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法在审
申请号: | 202010860333.7 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111952377A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 刘孔;王智杰;曲胜春;吴玉林;岳世忠;孙阳;李其聪;杨诚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/0687;H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘歌 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法,该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池;曲面陷光结构,设置在硅下电池上;载流子复合层,设置在曲面陷光结构上;钙钛矿上电池,设置在载流子复合层上;透明电极,设置在钙钛矿上电池上;以及金属电极,设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构,不容易导致薄膜中缺陷态的产生;曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜,因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。 | ||
搜索关键词: | 曲面 结构 钙钛矿 硅叠层 太阳电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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